成功的RF設計必須仔細注意整個(gè)設計過(guò)程中每個(gè)步驟及每個(gè)細節，這意味著(zhù)必須在設計開(kāi)始階段就要進(jìn)行徹底的、仔細的規劃，并對每個(gè)設計步驟的進(jìn)展進(jìn)行全面持續的評估。
有時(shí)常出現 Shielding Cover蓋上去后，其性能劣化的現象，例如靈敏度變差，相位誤差變大……等，可能原因，便是由于 Shielding Cover與RF走線(xiàn)，或是匹配組件間的距離過(guò)近，其寄生電容影響了阻抗，尤其是 0402尺寸的組件，因為體積較大，更容易有這現象，此時(shí)可利用阻抗軟件先加以驗證，將 H1與H2，設為 100 mil，來(lái)模擬未加 Shielding Cover時(shí)的阻抗。接著(zhù)再將實(shí)際的 H1值帶入，0402組件的高度，約20mil，因此 H2大約為H1-20。此時(shí)去比較阻抗的變化，便可得知 Shielding Cover與RF走線(xiàn)，或是匹配組件間的距離，是否會(huì )影響阻抗了[1-3]。
然而相較于匹配組件或走線(xiàn)，通常 Shielding Cover蓋上去后，其性能劣化的現象，來(lái)自 PA的機會(huì )較大.
因為 PA的能量本來(lái)就很大，加上體積較大，離Shielding Cover更近，所以這表示 PA耦合到 Shielding Cover的能量同樣很大，若Shielding Cover接地良好，原則上 PA耦合到Shielding Cover的能量，會(huì )通通流到 GND，但若 Shielding Cover與 Shielding Frame的接觸不夠好，那么PA耦合到Shielding Cover的能量，有一部分會(huì )反射，打到其他走線(xiàn)，若是打到 PA電源，那基本上所有發(fā)射性能都會(huì )劣化。
由于現今智能手機要求的 RF功能越來(lái)越多，這連帶使得零件數目越來(lái)越多，且越來(lái)越要求輕薄短小，而零中頻架構，由于具備了低成本，低復雜度，以及高整合度，這使得零中頻架構的收發(fā)器，在手持裝置，越來(lái)越受歡迎。但連帶也有一些缺失，其中一項便是所謂的 VCO Pulling[6-7]，因此不論是高通，或是MTK，都會(huì )建議收發(fā)器與 PA要分別放在兩個(gè)獨立的屏蔽框里，也是為了避免 VCO Pulling，
因此倘若 PA跟收發(fā)器在同一個(gè)Shielding下，沒(méi)有區隔開(kāi)來(lái)，那情況更麻煩，因為除了 PA電源，也可能會(huì )打到收發(fā)器的相關(guān)電源走線(xiàn)，甚至透過(guò) PA input走線(xiàn)跟接收走線(xiàn)，去打到 VCO，產(chǎn)生 VCO Pulling[4-5]。
此時(shí)可以做實(shí)驗，去驗證是否 PA輸出訊號打到上述走線(xiàn)
記得要加 DC Block，避免電源的直流訊號，回灌到 CMU跟PA，而 DC Block不是隨便串聯(lián)個(gè)電容就好了，因為電容值會(huì )影響 S11，若值不對，很可能其 PA輸出訊號都會(huì )被反射回來(lái)。而由[8]可知，串聯(lián) 56 pF電容，幾乎不會(huì )影響阻抗，因為原則上 RF Cable都是50奧姆，換言之，若擺放56 pF的 DC Block，亦即 PA輸出訊號會(huì )一路走 50奧姆，幾乎不會(huì )反射。
原則上這樣的實(shí)驗，其發(fā)射性能是一定會(huì )劣化，但要觀(guān)察是否為 Shielding Cover蓋上去后的現象，倘若同樣的現象完全復制出來(lái)，才可判定 Root Cause是 PA輸出訊號打到上述走線(xiàn)，例如 Shielding Cover蓋上去后，其傳導雜散會(huì ) Fail，但相位誤差依然 Pass，而上述實(shí)驗卻是傳導雜散跟相位誤差都 Fail，那就不能證明是PA輸出訊號打到上述走線(xiàn)。
由[1-3]可知，若 Shielding Cover與 Shielding Frame的接觸不是很緊密，則會(huì )產(chǎn)生時(shí)而開(kāi)路，時(shí)而短路的情況發(fā)生，這樣的行為模式，宛如一個(gè) Switch。而 Switch為非線(xiàn)性組件，會(huì )有非線(xiàn)性效應，諧波便是典型的非線(xiàn)性效應之一
而任何金屬，若沒(méi)接地完全，那就是一個(gè)輻射體，因此 Shielding Cover加 ShieldingFrame，整個(gè) Shielding Can宛如一個(gè)共振腔結構，會(huì )把PA耦合到 Shielding Cover的能量，輻射出去，當然 PA耦合到Shielding Cover的能量中，也包含了 PA非線(xiàn)性效應既有的諧波，若再加上 Shielding Cover與Shielding Frame的Switch效應，那么輻射雜散，亦即 Wireless的諧波，會(huì )更加強，會(huì )有超標的風(fēng)險。
原則上，前述的問(wèn)題，可透過(guò)加強 Shielding Cover與Shielding Frame的接觸，
以及加強 Shielding Cover與Housing金屬的接觸，
使其耦合到 Shielding Cover上的發(fā)射訊號，通通流到GND[1-3,5]。
前述提到，若作了 Coupler回灌PA輸出的實(shí)驗，但現象卻與Shielding Cover蓋上去的現象不一致，那就不能證明是 PA輸出訊號，打到上述走線(xiàn)。此時(shí)問(wèn)題可能是來(lái)自于 Shielding Cover與PA內部 Bond Wire的寄生效應，尤其是 Shielding Frame的架橋，
因為相較于 Shielding Cover，其架橋的高度又更小，倘若 PA剛好在架橋下方，那寄生效應會(huì )很大，其 PA的特性可能會(huì )有所改變，導致發(fā)射性能劣化，若問(wèn)題是來(lái)自寄生效應，那么就是 Shielding Cover的高度，以及架橋的位置，要重新調整，再不然就是 PA上方的 Shielding Cover，直接破孔開(kāi)天窗。所以 Placement時(shí)，PA盡量不要在架橋跟 Shielding Frame的屋檐下方，避免寄生效應。
除了 PA之外，另外還需特別注意金屬表面的 Duplexer，例如 Taiyo的Duplexer，
前述說(shuō)過(guò)，任何金屬，若沒(méi)接地完全，那就是一個(gè)輻射體，故此時(shí) Duplexer的金屬表面，會(huì )宛如一個(gè)輻射體，那么 Shielding Cover一蓋上去，就會(huì )產(chǎn)生上述的機制，打到上述走線(xiàn)，導致發(fā)射性能劣化，尤其是 LTE的Band 7，這種頻率很高的頻段，更是容易出狀況。此時(shí)可以在 Duplexer上方，置入導電泡棉，使Duplexer的金屬表面接地完全，便可消除其輻射體機制。當然，前提是 Shielding Cover要先接地完全。
盡管有以上的缺點(diǎn)，但是金屬屏蔽罩仍然非常有效，而且常常是隔離關(guān)鍵電路的唯一解決方案。